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Es wird eine Schutzschaltung gegen elektrostatische Entladung (ESD) für eine integrierte Schaltung bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat enthält. Die ESD-Schutzschaltung enthält mehrere, in dem Halbleitersubstrat gebildete aktive Bauelemente, wobei die aktiven Bauelemente durch einen Prozess gebildet werden, der mehrere Schritte enthält, die ausgeführt werden, um gleichzeitig mehrere aktive Bauelemente mit einer anderen Funktion als dem ESD-Schutz zu bilden. Die ESD-Schaltung kann beispielsweise ein Feld von vertikalen Transistoren enthalten, die gemäß einem Prozess gebildet werden, die viele der Schritte enthält, mit denen gleichzeitig vertikale Transistoren eines DRAM-Feldes gebildet werden. Offenbart wird außerdem die Ausbildung einer ESD-Schaltung in einem "unbenutzbaren" Bereich eines Halbleiterchips, wie etwa unter einem Bondpad, einer Kontaktfläche oder einer Under-Bump-Metallisierung des Chips.
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