| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，具有T栅极(10)，该栅极包括颈部分(16)和伸出颈部分的T条部分(18)，其中颈部分(16)包括多个间隔的支柱(20)。通过由多个间隔的支柱形成颈部分，减小了栅极和沟道之间的接触面积或“有效栅极宽度”，同时T条部分(18)通过桥接支柱(20)确保了通过栅极的电连续性。这减小了输入栅极电容，由此提供了具有提高的器件性能的FET。 | ||
| 申请公布号 | CN101027778A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200580032248.5 | 申请日期 | 2005.09.22 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | H·马赫尔;P·M·M·鲍德特 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，具有T栅极(10)，该栅极包括颈部分(16)和伸出颈部分的T条部分(18)，其中颈部分包括多个间隔的支柱(20)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||