| 发明名称 | 微T型电极的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的是提供一种以廉价高生产率地制造微T型电极的方法。本发明的微T型电极的制造方法包括：叠层保护膜形成工序，其在T型栅电极形成面上，形成叠层保护膜，该叠层保护膜在最上层具有感光的光学保护膜层；最上层开口形成工序，其对叠层保护膜照射紫外线，仅将紫外线感光学保护膜层制成图案，形成最上层开口；最上层开口缩小工序，其在紫外线感光学保护膜层上涂布保护膜图案增厚材料，使紫外线感光学保护膜层上形成的上述最上层开口的口径缩小；最下层开口形成工序，其将紫外线感光学保护膜层上形成的最上层开口转印到下层，使叠层保护膜贯通，形成在叠层保护膜的最下层中的最下层开口；最下层开口缩小工序，其缩小在叠层保护膜的最下层中的最下层开口的大小；T型电极形成工序，其在贯通叠层保护膜而形成的开口部上形成T型电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100376037C | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN03818726.4 | 申请日期 | 2003.08.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 泽田宪 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L29/80(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
| 主权项 | 1.一种微T型电极的制造方法，其特征在于，该方法包括：叠层保护膜形成工序，其在T型栅电极形成面上形成叠层保护膜，该叠层保护膜至少在最上层具有感光的光学保护膜层；最上层开口形成工序，其对该叠层保护膜照射光，仅将上述光学保护膜层制成图案，形成最上层开口；最上层开口缩小工序，其通过在上述光学保护膜层上涂布保护膜图案增厚材料，使该光学保护膜层上形成的上述最上层开口的口径缩小；最下层开口形成工序，其将上述光学保护膜层上形成的上述最上层开口转印到该光学保护膜层的下层，使上述叠层保护膜贯通，形成上述叠层保护膜的最下层中的最下层开口；最下层开口缩小工序，其缩小上述叠层保护膜的最下层中的最下层开口的大小；T型电极形成工序，其在贯通上述叠层保护膜而形成的开口部上形成T型电极。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||