具有轻掺杂汲极之金氧半导体的制作方法

摘要

本发明之目的在于提供一种具有轻掺杂汲极之金氧半导体的制作方法，可利用一道光罩同时定义闸电极、p型离子重掺杂区及n型离子轻掺杂区，且可利用另一道光罩同时定义出接触窗及n型离子重掺杂区。因此，本发明最少只需6道光罩，即可完成具有轻掺杂汲极薄膜电晶体的制程，如此一来不但可达到减少多晶矽薄膜电晶体制程之光罩使用次数的目的，且由于制程之步骤减少，因此可提升量产速度及增加良率。