| 发明名称 | 一种金属-绝缘层-金属电容结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种金属-绝缘层-金属电容结构及其制作方法。电容结构包含一金属层；一位于金属层上方的合金层，合金层是由一第一金属与金属层两者反应所形成的化合物所构成；一位于合金层上方的金属氧化物层，金属氧化物层是一由第一金属剩余部分氧化所形成的氧化物所构成的绝缘层；以及一位于金属氧化物层上方的上垫层；金属层为一双镶嵌结构中的铜导线，第一金属对金属层的金属具有良好的固态溶解度。具有克服传统制作方法中铜离子扩散的问题，进而确保电容结构的电性功能及产品可靠度的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN100382209C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN02159059.1 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李秋德 |
| 分类号 | H01G4/10(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01G4/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1.一种金属-绝缘层-金属电容结构，其特征是：它包含有：一金属层；一位于该金属层上方的合金层，该合金层是由一第一金属与该金属层两者反应所形成的化合物所构成；一位于该合金层上方的金属氧化物层，该金属氧化物层是一由该第一金属剩余部分氧化所形成的氧化物所构成的绝缘层；以及一位于该金属氧化物层上方的上垫层；该金属层为一双镶嵌结构中的铜导线，该第一金属对该金属层的金属具有良好的固态溶解度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||