| 摘要 |
본 기술은 보다 간단하게 크랙 내성을 향상시킬 수 있도록 하는 반도체 장치 및 고체 촬상 소자에 관한 것이다. 반도체 장치는, Si 기판 및 그 Si 기판상에 적층된 배선층으로 이루어지는 상측 기판과, Si 기판 및 그 Si 기판상에 적층된 배선층으로 이루어지고, 상측 기판과 맞붙여진 하측 기판을 갖고 있다. 또한, 상측 기판에는 와이어 본딩용 또는 프로빙용의 패드가 형성되어 있고, 그 패드로부터 하측 기판의 Si 기판까지의 사이의 각 배선층에는, 와이어 본딩용 또는 프로빙용의 패드의 모서리나 변 부분을 보호하기 위한 패드가 방사선 형상으로 적층되어 마련되어 있다. 본 기술은, 고체 촬상 소자에 적용할 수 있다. |
