| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底以及介电层。所述介电层位于所述基底上，所述介电层中具有多个开口，所述开口的侧壁具有凹凸轮廓。半导体元件的制造方法，包括：于基底上交替形成多个第一层与至少一第二层；于所述第一层与所述第二层中形成多个开口；以及移除所述开口的侧壁上的部分所述第一层，使所述开口形成为具有凹凸轮廓的侧壁。本发明提供的半导体元件及其制造方法，可以形成侧壁具有凹凸轮廓的接触窗开口，增加移动离子沿着移动的路径，并阻碍移动离子的扩散，从而有效地防止移动离子对半导体元件的损害，进一步提升半导体元件的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN105762118A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410781362.9 | 申请日期 | 2014.12.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李鸿志;余旭升 |
| 分类号 | H01L23/16(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：基底；以及介电层，位于所述基底上，所述介电层中具有多个开口，所述开口的侧壁具有凹凸轮廓。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||