SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要

반도체 기판, 반도체 소자 및 반도체 기판 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 제1 반도체층(11) 및 제1 반도체층 상에 위치하는 제2 반도체층(12)이 포함되되, 제1 반도체층과 제2 반도체층 또는 각자가 그 격자 대칭성에 따라 회전한 후 수직 방향에서 상이한 벽개면을 갖는다. 반도체 기판을 복합형 기판 구조로 제공함으로써, 동일한 기판 두께 조건 하에서 반도체 에피층에 의해 인가되는 응력이 실리콘 기판에 대해 발생시키는 손상을 줄여 실리콘 기판이 파쇄되는 확율을 줄일 수 있고 이와 동시에 공정 난도를 줄이고 반도체 소자의 신뢰성을 강화시킬 수 있다.