| 发明名称 | 金属绝缘体金属电容器 | ||
| 摘要 | 一种MIM(金属绝缘体金属)电容器，设置有：衬底；第一金属区；形成在衬底与第一金属区之间的第二金属区；和形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且该MIM电容器还设置有：形成在第二金属区与衬底之间的第三金属区；和形成在第三金属区与第二金属区之间的第二绝缘层；其中第三金属区连接到地电势。 | ||
| 申请公布号 | CN1643689A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806360.3 | 申请日期 | 2003.09.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 日野拓生;南善久 |
| 分类号 | H01L27/04;H01G4/33 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种MIM(金属绝缘体金属)电容器，包括：衬底；第一金属区；形成在所述衬底与第一金属区之间的第二金属区；以及形成在第一金属区与第二金属区之间的第一绝缘层；其中电容值由第一金属区与第二金属区的相对表面积确定；且进一步包括：形成在第二金属区与所述衬底之间的第三金属区；以及形成在第三金属区与第二金属区之间的第二绝缘层；其中第三金属区连接到地电势。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||