可减小漂移扩散电容的电荷转移器件和电荷转移方法

摘要

一种电荷转移器件，包括：检测信号电荷用的检测MOSFET；在信号电荷被检测后除去该信号电荷的重置MOSFET。所述重置MOSFET包括浮置扩散层(3)；杂质层(4)；重置栅极(9)。所述检测MOSFET包括与浮置扩散层(3)相连的检测栅极(5)。所述浮置扩散层(3)包括第一半导体区(3a)和第二半导体区(3b)。将第一半导体区(3a)的杂质浓度设定为当把重置信号加给重置栅极(9)时，使该第一半导体区(3a)在电压低于重置电压(Vrd)情况下不被消耗的浓度。

主权项

1.一种电荷转移器件，其特征在于包括：检测信号电荷用的检测MOSFET；用于在信号电荷被检测后除去该信号电荷的重置MOSFET；其中所述重置MOSFET包括：将所述信号电荷转移至其上的浮置扩散层；将重置电压加于其上的杂质层；以及将重置信号加于其上的重置栅极；而且所述检测MOSFET包括与所述浮置扩散层相连的检测栅极；并且所述浮置扩散层包括：第一半导体区和其杂质浓度低于所述第一半导体区的第二半导体区；并且其中将所述第一半导体区的杂质浓度设定为当把所述重置信号加给所述重置栅极时，使该第一半导体区在电压低于重置电压情况下不被消耗的浓度；其中所述第二半导体区的杂质浓度设定为当把所述重置信号加给重置栅极时，使该第二半导体区受到消耗的浓度；以及其中所述第一半导体区被设置成在所述浮置扩散层中沿所述信号电荷的转移方向伸展；其中所述浮置扩散层还包括：第三半导体区，此区的杂质浓度高于所述第一半导体区，并且其中所述检测栅极与该第三半导体区相连。