发明名称 基于金属-硫属元素-卤素体系的准一维聚合物
摘要 本发明涉及具有亚微米横截面的准一维材料,以化学式M<SUB>6</SUB>C<SUB>y</SUB>H<SUB>z</SUB>表述,其中M=过渡金属元素,C=硫属元素,H=卤素,并且其中y和z是整数,使得8.2<y+z<10,所述材料在高于1000℃的温度下以一步法合成。本发明还涉及这些材料在电子学、化学、光学或机械应用中的用途。
申请公布号 CN1890182A 申请公布日期 2007.01.03
申请号 CN200480036556.0 申请日期 2004.02.25
申请人 约塞夫史蒂芬学院 发明人 阿道夫·耶西赫;德拉甘·米哈伊洛维奇;马亚·雷姆斯卡;阿莱斯·姆尔泽;丹尼尔·弗尔巴尼克
分类号 C01G39/00(2006.01);C01G41/00(2006.01);C01G1/00(2006.01) 主分类号 C01G39/00(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 顾晋伟;刘继富
主权项 1.通式为M6CyHz的材料,其中M指定过渡金属,C指定硫属元素,H指定卤素,并且其中y和z可以是0-10,使得8.2<y+z<10,所述材料以纳米线、纳米绳、纳米棒、须或针的形式生长,并且可以通过包括以下步骤的方法得到:以所期望的质量比混合组成元素,将它们置于合适的容器中,将容器抽真空,并将其加热到高于1000℃的温度保持预定长的时间。
地址 斯洛文尼亚卢布尔雅那