用于制造单晶的设备和方法、单晶及半导体晶片

摘要

本发明涉及用于制造半导体材料单晶的设备和方法。该设备包括一个室以及设置在该室内的由坩埚加热器包围的坩埚、用于屏蔽生长的单晶的辐射护板以及在该坩埚加热器与该室的内壁之间的绝热材料。该设备的特征在于用于密封在该内壁与该绝热材料之间的缝隙并且形成气态羰基铁向该单晶传输的障碍的弹性密封材料。本发明还涉及使用该装置、所制的单晶以及由此切下的半导体晶片制造半导体材料单晶的方法。该单晶及半导体晶片的特征在于边缘区域，该边缘区域从圆周向该单晶或该半导体晶片内径向延伸至最多R－5毫米的距离并且具有一定的铁浓度，其中该边缘区域内的铁浓度低于1×10⁹原子/cm³。

主权项

1、用于制造半导体材料单晶的设备，其包括一个室以及设置在该室内的由坩埚加热器包围的坩埚、用于屏蔽生长着的单晶的辐射护板以及在该坩埚加热器与该室的内壁之间的绝热材料，其特征在于，该设备还包括用于密封在该内壁与该绝热材料之间的缝隙并且形成气态羰基铁向该单晶传输的障碍的弹性密封材料。