| 摘要 |
本发明系关于一种半导体雷射装置。目的系在于：能够在将波长不同的多个半导体雷射元件形成为单片(monolithic)的半导体雷射装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体雷射装置，形成在由n型GaAs构成的基板101上，具有射出第1振荡波长为λ1的雷射的红色半导体雷射元件1，以及射出第2振荡波长为λ2(λ2≧λ1)的雷射的红外线半导体雷射元件2。在各半导体雷射元件1及2中的射出各雷射的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为 的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为 的第2电介质膜。 |
