| 发明名称 | 硼掺杂的N型硅靶材 | ||
| 摘要 | 本发明涉及溅射靶材及其制备方法。该靶材包括B掺杂的n型Si。该靶材可从由CZ方法制备的单晶硼掺杂的p型Si锭制备。沿晶体长度对电阻率进行测量，并且可垂直于锭中心轴在具有约1‑20ohm.cm电阻率的位置处切割出坯件。该坯件随后形成适用于PVD系统中的溅射靶材的可接受的形状。在锭或坯件上没有进行消耗供体的退火。 | ||
| 申请公布号 | CN106133186A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201580016650.8 | 申请日期 | 2015.03.18 |
| 申请人 | 东曹SMD有限公司 | 发明人 | E.Y.伊万诺夫;Y.袁 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 沈雪 |
| 主权项 | 具有约0.01‑700ohm.cm电阻率的包括B掺杂的n型Si的溅射靶材。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||