无线电频率功率放大器之主动式自我偏压补偿电路

摘要

一种用于与一无线电频率（RF）功率放大器连用之主动式偏压补偿电路，该RF放大器具有一输入(112)、一输出(116)、一第一电晶体(110)，及响应由该RF放大器中一偏压电流所建立静态作业点之多种作业性能特性。该主动式偏压补偿电路包括：一耦合至该RF放大器操作且具有第一、第二与第三端点及进一步配置成与第一电晶体有相同电气及热特性之第二电晶体(120)，及一耦合于第二电晶体之第一与第二端点间用以促使在该RF功率放大器中，其可设定及保持一不受诸如温度及加工变化等因素影响之一欲有之静态作业电流之第一电路(130)。

主权项

1.一种用于与一无线电频率(RF)功率放大器连用之主动式自我偏压补偿电路,该RF功率放大器具有一输入、一输出、一第一电晶体,及响应由该RF功率放大器中一偏压电流所建立静态作业点之多种作业性能特性,该主动式偏压补偿电路包括:一具有一第一、第二及第三端点并且配置成与该第一电晶体有相同电气及热特性之第二电晶体,其中该第二电晶体之第二端点被操作地耦合至该RF功率放大器操作,而该第三端点则耦合至一第一固定电压;及一耦合于该第二电晶体之第一与第二端点间之第一电路,其系用以促使在该第二电晶体中设定及保持于一第一预定固定値之基准电流,并且促使该偏压电流被设定及保持为该第一预定固定値函数之一第二预定固定値。2.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,其中该RF功率放大器是置于一积体电路晶片中,且该第二电晶体也置于该积体电路晶片中,其系用以促使该第一及第二电晶体有实质上相同之电气及热特性。3.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,其中该第一及第二电晶体为横向双扩散氧化金属半导体(LDMOS)电晶体,且其中该第一及第二电晶体之每一个均有为一汲极之一第一端点、为一闸极之一第二端点,及为一源极之一第三端点,其中该基准电流为该第二电晶体之汲极电流,该偏压电流为该第一电晶体之汲极电流,且该第一及第二电晶体之闸极系操作地耦合在一起而用以促使在该第一电晶体之闸极产生一偏压电压,而将该偏压电流设定及保持在该第二预定固定値。4.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,其中该第一电路包括一第一、第二、第三电阻器及一电压源,该第一电阻器耦合于该第二电晶体之第一端点与该电压源间,该第二电阻器耦合于该第二电晶体之第一与第二端点间,而该第三电阻器则耦合于一接地电位与该第二电阻器和该第二电晶体之第二端点之接点间。5.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,其中该第一固定电压为一接地电位。6.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,更包括一耦合至该第一电路与该第二电晶体之第二端点接点间之第二电路,其系用以抑制由于RF及基带信号而在该第二电晶体之第二端点上所建立之一电压,其中该第二电路包括并联耦合于一接地电位与该第一电路和该第二电晶体之第二端点接点间之一第一及第二电容器。7.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,更包括一具有一第一、第二、第三端点并且配置成与该第一及第二电晶体有相同电气及热特性之第三电晶体,其中该第一与第二端点连接于一起,并且进一步耦合至该RF功率放大器与该第二电晶体之第二端点之接点间,而该第三电晶体之第三端点则耦合至一接地电位,以便能使该偏压电流被保持于该第二预定固定値且不受该RF功率放大器温度变化之影响。8.如申请专利范围第1项之主动式自我偏压补偿电路,更包括一用以将该RF功率放大器耦合至该第二电晶体第二端点之第二电路,其中该第二电路包括一耦合于该RF功率放大器与该第二电晶体之第二端点间之电阻器。9.一种用于与一无线电频率(RF)功率放大器连用之主动式自我偏压补偿电路,该RF功率放大器具有一输入、一输出、一第一电晶体,及响应由该RF功率放大器中一偏压电流所建立静态作业点之多种作业性能特性,该主动式偏压补偿电路包括:一具有一第一、第二及第三端点并且配置成与该第一电晶体有相同电气及热特性之第二电晶体,其中该第二电晶体之第二端点被操作地耦合至该RF功率放大器,而该第三端点则耦合至一固定电压;及一耦合于该第二电晶体之第一与第二端点间之第一电路,其系用以促使在该第二电晶体中设定及保持于一第一预定固定値之基准电流,并且促使该偏压电流被设定及保持为该第一预定固定値函数之一第二预定固定値,该第一电路包括一第一、第二、第三电阻器及一电压源,该第一电阻器耦合于该第二电晶体之第一端点与该电压源间,该第二电阻器耦合于该第二电晶体之第一与第二端点间,而该第三电阻器则耦合于一接地电位与该第二电阻器和该第二电晶体之第二端点之接点间;一耦合至该第一电路与该第二电晶体之第二端点接点间之第二电路,其系用以抑制由于RF及基带信号而在该第二电晶体之第二端点上所建立之一电压,该第二电路包括并联耦合于一接地电位与该第一电路和该第二电晶体第二端点接点间之一第一及第二电容器;及一具有一第一、第二、第三端点并且配置成实质上与该第一电晶体有相同电气及热特性之第三电晶体,其中该第三电晶体之第一及第二端点系连接于一起,并且进一步耦合至该RF功率放大器与该第二电晶体第二端点之接点间,该第三电晶体之第三端点则耦合至一接地电位,而使该偏压电流能保持在该第二预定固定値且不受该RF功率放大器温度变化之影响。10.一种用于一通信装置内之无线电频率(RF)功率放大器网路,其包括:一RF功率放大器,其特征在于由一偏压电流所建立一静态作业点之响应多种作业性能特性之RF功率放大器,该RF功率放大器包括一输入、一输出,及一耦合于该输入与该输出间之第一电晶体;及一主动式自我偏压补偿电路,其包括一具有一第一、第二及第三端点并且配置成实质上与该第一电晶体有相同电气及热特性之第二电晶体,其中该第二电晶体之第二端点被操作地耦合至该RF功率放大器,而该第三端点则耦合至一第一固定电压,该主动式自我偏压补偿端点则耦合至一第一固定电压,该主动式自我偏压补偿电路更包括一耦合于该第二电晶体之第一与第二端点间之第一电路,其系用以促使该第二电晶体中之一基准电流设定及保持于一第一预定固定値,并且用以促使该偏压电流设定及保持为该第一预定固定値函数之第二预定固定値。图式简单说明:图1为按照本发明RF功率放大器网路之一实施例;及图2为按照本发明RF功率放大器网路之一较佳实施例。