| 主权项 |
1.一种液晶显示器,包括:一基材;一形成于基材上之闸极导线,其包括一闸极线与连接至闸极线之闸极;一形成于基材上之共同信号导线,其包括与闸极线分隔之共同信号线与连接至共同信号线之共同电极;一形成于闸极导线与共同信号导线上方之闸极绝缘层;在闸极之部份闸极绝缘层上方形成一通道层;与共同电极相隔离而形成于闸极绝缘层上之图素电极;形成于通道层上且彼此相隔离之源极与汲极;一形成于闸极绝缘层上之数据线,其厚度大于图素电极之厚度,该数据线具有包括第一导电层与第二导电层之双层结构;及一覆盖图素电极、源极与汲极与数据线之保护层。2.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中第一导电层具有15cm或更小之阻値;及由衬垫材料制得之第二导电层。3.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中第一与第二导电层中之一的厚度等于或小于1000。4.如申请专利范围第3项之液晶显示器,其中图素电极具有1000或更小之厚度。5.如申请专利范围第4项之液晶显示器,其中图素电极具有500或更小之厚度。6.如申请专利范围第4项之液晶显示器,其中源极与汲极具有1000或更小之厚度。7.如申请专利范围第6项之液晶显示器,其中保护层之厚度系2000-4000。8.一种液晶显示器之制造方法,其步骤包括:在基材上形成一闸极导线与一共同信号导线;于闸极导线与共同导线上方形成一闸极绝缘层;在闸极绝缘层上形成一半导体层,在闸极绝缘层上形成一图素电极与一数据线,其中图素电极之厚度较数据线之厚度小;及于图素电极与数据线上形成一保护层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中数据线系由第一导电层与第二导电层所制成。10.如申请专利范围第9项之方法,其中第一导电层具有15cm或更小之阻値;及由衬垫材料制得之第二导电层。11.如申请专利范围第9项之方法,其中第一导电层厚度等于或小于1000。12.如申请专利范围第11项之方法,其中第一导电层厚度等于或小于500。13.如申请专利范围第11项之方法,其中图素电极系由第一导电层制得。14.如申请专利范围第13项之方法,其中源极与汲极系由第一导电层制得。15.如申请专利范围第14项之方法,其中保护层之厚度系2000-4000。16.一种液晶显示器,包括:一透明基材;形成于基材上之多条闸极线;与闸极线交错且与闸极线绝缘之多条主要数据线,其中闸极线与主要数据线定义出图素区域;一共同电极与一图素电极彼此相隔离且形成于图素区域内;与主要数据线接触且具有第一接触孔之绝缘层;经由绝缘层重叠覆盖于主要数据线上之冗长数据线,其经由绝缘层之第一接触孔与主要数据线呈电气性连接。17.如申请专利范围第16项之液晶显示器,更包括:连接至主要数据线末端部份之主要数据衬垫;及由形成冗长数据线之相同层所形成之冗长数据衬垫,其中绝缘层具有第二接触孔与主要数据衬垫;且冗长数据衬垫系经由绝缘层中之第二接触孔电气性连接。18.如申请专利范围第17项之液晶显示器,其中主要数据衬垫与冗长数据衬垫之一叠合于另一者且包括一ITO层。19.如申请专利范围第16项之液晶显示器,更包括:连接至闸极线末端部份之主要闸极衬垫;与由形成冗长数据线之相同层所形成之冗长闸极衬垫,且电气性连接至主要闸极衬垫。20.如申请专利范围第19项之液晶显示器,其中主要闸极衬垫与冗长闸极衬垫之一叠合于另一者且包括一ITO层。21.如申请专利范围第16项之液晶显示器,更包括:一主要闸极线连结器以连接彼此闸极线;一主要数据线连结器以连接彼此数据线;一冗长闸极线连结器其系电气性连接至主要闸极线连结器且系由形成冗长数据线之相同层所形成;及一冗长数据线连结器系电气性连接至主要数据线连结器与冗长闸极线连结器且系由形成冗长数据线之相同层所形成。22.如申请专利范围第16项之液晶显示器,其中主要数据线与冗长数据线之一系由形成图素电极之相同层所形成。23.如申请专利范围第22项之液晶显示器,其中图素电极厚度等于或小于500。24.一种液晶显示器,包括:一基材;一形成于基材上之闸极线;一形成于基材上且连接至闸极线之闸极;一形成于基材上且与闸极线分隔之共同电极;一形成于闸极线、闸极与共同电极上方之闸极绝缘层;在闸极之部份闸极绝缘层上方形成之通道层;一欧姆接触层形成于通道层上且对应于闸极具有彼此分隔的两个部份;形成于欧姆接触层之各别部份上之源极与汲极;一主要数据线形成于闸极绝缘层上且连接至源极;一形成于闸极绝缘层上之由闸极线与主要数据线所定义出之图素区域内与共同电极相隔离,且连接至汲极之图素电极,一保护层覆盖于源极与汲极,主要数据线与图素电极且具有一第一接触孔以暴露出主要数据线,及一冗长数据线形成于保护层上且经由第一接触孔电气性连接至主要数据线,其中每一图素具有至少一图素电极及至少一共同电极。25.如申请专利范围第24项之液晶显示器,更包括:一主要数据衬垫连接至主要数据线之末端部份;及一冗长数据衬垫系由形成冗长数据线之相同层所形成,其中保护层具有第二接触孔;及主要数据衬垫系经由保护层内之第二接触孔电气性连接至冗长数据衬垫。26.如申请专利范围第25项之液晶显示器,其中冗长数据衬垫包括一ITO层。27.如申请专利范围第24项之液晶显示器,更包括:一主要闸极衬垫连接至闸极线之末端部份;一冗长闸极衬垫系由形成冗长数据线之相同层所形成,其中闸极绝缘层与保护层具有暴露出主要闸极衬垫之第三接触孔;及主要闸极衬垫经由在闸极绝缘层与保护层内之第三接触孔电气性连接至冗长闸极衬垫。28.如申请专利范围第27项之液晶显示器,其中冗长数据衬垫包括一ITO层。29.如申请专利范围第24项之液晶显示器,更包括:一主要闸极线连结器彼此连接至闸极衬垫;一冗长闸极线连结器系由形成冗长数据线之相同层所形成,其中闸极绝缘层与保护层具有暴露出主要闸极线连结器之第四接触孔;及主要闸极线连结器经由在闸极绝缘层与保护层内之第四接触孔电气性连接至冗长闸极线连结器。30.如申请专利范围第29项之液晶显示器,更包括:一主要数据线连结器彼此连接至数据衬垫;一冗长数据线连结器系由形成冗长数据线之相同层所形成,其中保护层具有第五接触孔;主要数据线连结器经由在保护层内之第五接触孔电气性连接至冗长数据线连结器;及冗长数据线连结器被连接至冗长闸极线连结器。31.如申请专利范围第24项之液晶显示器,其中图素电极厚度等于或小于500。32.一种液晶显示器之制造方法,其步骤包括:形成一共同信号导线与一闸极导线,其包括一闸极线,一闸极,一主要闸极衬垫与一主要闸极线连结器;形成一闸极绝缘层于共同信号导线与闸极导线之上方;在闸极绝缘层上依序形成一通道层与一欧姆接触层;沉积第一导电层;将第一导电层制成图案以形成一图素电极与一主要数据导线,其包括一源极,一汲极,一主要数据线,一主要数据衬垫与一主要数据线连结器;沉积保护层于图素电极与主要数据导线上;分别形成第一与第二接触孔以暴露出在保护层内之主要数据线与主要数据衬垫;沉积第二导电层;及将第二导电层制成图案以形成一冗长数据导线,其包括一冗长数据线,一冗长数据衬垫与一冗长数据线连结器。33.如申请专利范围第32项之方法,更包括步骤:分别形成第三与第四接触孔以暴露出在保护层与闸极绝缘层内之主要闸极衬垫线与主要闸极线连结器;及藉将第二导电层制成图案以形成一冗长闸极衬垫与一冗长闸极线连结器。34.如申请专利范围第33项之方法,其中图素电极厚度等于或小于500。35.一种液晶显示器之制造方法,其步骤包括:形成一共同信号导线与一闸极导线,其包括一闸极线,一闸极,一主要闸极衬垫与一主要闸极线连结器;形成一闸极绝缘层于共同信号导线与闸极导线之上方;在闸极绝缘层上依序形成一通道层与一欧姆接触层;沉积第一导电层;将第一导电层制成图案以形成一主要数据导线,其包括一源极,一汲极,一主要数据线,一主要数据衬垫与一主要数据线连结器;沉积保护层于主要数据导线上;分别形成第一与第二接触孔以暴露出在保护层内之主要数据线与主要数据衬垫;沉积第二导电层;及将第二导电层制成图案以形成图素电极与冗长数据导线,其包括一冗长数据线,一冗长数据衬垫与一冗长数据线连结器。36.如申请专利范围第35项之方法,更包括步骤:分别形成第三与第四接触孔以暴露出在保护层与闸极绝缘层内之主要闸极衬垫线与主要闸极线连结器;及藉将第二导电层制成图案以形成一冗长闸极衬垫与一冗长闸极线连结器。37.如申请专利范围第36项之方法,其中图素电极厚度等于或小于500。38.一种液晶显示器,包括:一基材;一闸极线,形成于基材上;一共同电极,形成于基材上且与闸极线分隔;一闸极绝缘层,形成于闸极线及共同电极上;一数据线,形成于闸极绝缘层上;一数据衬垫,形成于闸极绝缘层上并连接至数据线之末端部份;一图素电极,形成于闸极绝缘层上,并与共同电极隔离以产生沿着共同电极之电场;一薄膜电晶体,电气连接至闸极线、数据线及图素电极;一保护层,覆盖数据线、图素电极及薄膜电晶体,并具有一第一接触孔以暴露出该数据衬垫;一第一冗长衬垫,形成于保护层上,并经由该第一接触孔与该数据衬垫接触;其中,每一图素具有至少一图素电极及至少一共同电极。39.如申请专利范围第38项之液晶显示器,其中该第一冗长衬垫包括一ITO层。40.如申请专利范围第38项之液晶显示器,其中该图素电极之厚度等于或小于500。41.如申请专利范围第38项之液晶显示器,更包括一闸极衬垫在闸极绝缘层下并连接至闸极导线之末端部份;及一第二冗长衬垫,形成于保护层上,其中该保护层及闸极绝缘层具有一第二接触孔以暴露出闸极衬垫,并且该第二冗长衬垫经向第二接触孔与闸极衬垫接触。42.一种液晶显示器之制造方法,其步骤包括:形成一第一电极及一第一信号线,且互相电气隔离;沉积一第一绝缘层;形成一导电层于该第一绝缘层上;形成一第二电极以产生一沿着该第一电极之电场,形成一第二信号线连接至该导电层及形成一第一衬垫连接至该第二信号线;形成一第二绝缘层,其具有一第一接触孔以暴露该第一衬垫之一部份;及形成一第二衬垫于第一接触孔上。43.如申请专利范围第42项之方法,其中该第二衬垫包括一ITO层。44.如申请专利范围第42项之方法,其中该第二电极之厚度等于或小于500。45.如申请专利范围第42项之方法,更包括步骤:形成一第三衬垫在第一绝缘层下,并连接至第一信号线;形成一第二接触孔在第一及第二绝缘层内,以暴露第三衬垫;及形成一第四衬垫在第二接触孔上。图式简单说明:图1系根据本发明之第一具体实例之液晶显示器面板之配置图。图2显示沿着图1中所示面板取线II-II'之剖面图。图3A-3D系图1与2所示面板于制造步骤中之中间结构之剖面图。图4系根据本发明之第二具体实例之LCD面板之外形图。图5显示根据本发明之第二具体实例之液晶显示器面板之配置图。图6-10系沿着图5中所示面板分别取线VI-VI',VII-VII',VIII-VIII',IX-IX'与X-X'之剖面图。图11A-14E系图4与-10所示面板于制造步骤中之中间结构之剖面图。图15A-17E系根据本发明之另一具体实例之液晶显示器面板之中间结构之剖面图。图18显示根据本发明之另一具体实例之液晶显示器面板之配置图。图19-23系沿着图18中所示面板分别取线XIX-XIX',XX-XX',XXI-XXI',XXII-XXII'andXXIII-XXIII'之剖面图。 |
