NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CONFIGURED TO REDUCE RATE OF ERRONEOUSLY READING DATA FROM MEMORY CELL,申请号KR20030015614-传众专利搜索

发明名称	NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CONFIGURED TO REDUCE RATE OF ERRONEOUSLY READING DATA FROM MEMORY CELL
摘要
申请公布号	KR100496782(B1)	申请公布日期	2005.06.22
申请号	KR20030015614	申请日期	2003.03.13
申请人		发明人
分类号	G11C16/04;G11C16/06;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/28;(IPC1-7):G11C16/04	主分类号	G11C16/04
代理机构		代理人
主权项
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