| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 具有至少AlGaInP发光层和透明电极的一种发光二极管，其中该透明电极由第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1259735C | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200310123390.3 | 申请日期 | 2003.12.17 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 村上哲朗;中津弘志;仓桥孝尚;大山尚一 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，它至少具有AlGaInP发光层和透明电极，其特征在于，所述透明电极由用第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成，其中，除了所述第III簇元素或其化合物，额外地用过渡元素将所述ZnO薄膜掺杂。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||