| 发明名称 |
N-DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL COMPRISING PHOSPHINE OXIDE MATRIX AND METAL DOPANT |
| 摘要 |
본 발명의 n-도펀트로서 적어도 하나의 금속성 원소, 및 적어도 하나의 포스핀 옥사이드 기를 포함하는 적어도 하나의 전자 수송 매트릭스 화합물을 포함하는 전기적으로 도핑된 반도전성 물질, 이의 제조 방법, 및 전기적으로 도핑된 반도전성 물질을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. |
| 申请公布号 |
KR20160102529(A) |
申请公布日期 |
2016.08.30 |
| 申请号 |
KR20167020171 |
申请日期 |
2014.12.23 |
| 申请人 |
NOVALED GMBH |
发明人 |
ZOELLNER MIKE;WERNER ANSGAR;ROSENOW THOMAS;ROTHE CARSTEN;BIRNSTOCK JAN;CANZLER TOBIAS;DENKER ULRICH;FADHEL OMRANE;BLOOM FRANCISCO;KALISZ TOMAS;GILGE KAI;ANGERMANN JENS |
| 分类号 |
H01L51/50;C07F9/53;C07F9/572;C07F9/64;C07F9/655;C07F9/6558;H01L51/00 |
主分类号 |
H01L51/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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