| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM |
| 摘要 |
처리실 내의 기판에 대하여 산화제를 선행해서 공급하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대하여 산화제와 원료를 동시에 공급하는 공정을, 이들 공정 사이에 상기 처리실 내의 퍼지를 거치지 않고 연속적으로 행하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대한 산화제와 원료의 공급을 정지하고 처리실 내를 퍼지하는 공정과, 퍼지 후의 처리실 내의 기판에 대하여 산화제를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행한다. |
| 申请公布号 |
KR20160126002(A) |
申请公布日期 |
2016.11.01 |
| 申请号 |
KR20167025535 |
申请日期 |
2014.03.18 |
| 申请人 |
HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. |
发明人 |
USHIDA TAKURO;KAMAKURA TSUKASA;ASHIHARA HIROSHI;NAKATANI KIMIHIKO |
| 分类号 |
H01L21/02;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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