发明名称 一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法
摘要 本发明公开一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法,属于农产品重金属污染防治技术领域。通过本发明的方法施用硅,在高浓度镉污染土壤中(土壤镉浓度为60mg/kg),于水稻生长的拔节期一次施用163kg/hm<sup>2</sup>可溶性硅酸盐(以有效成分SiO<sub>2</sub>计),其施用效果与不施硅(对照)相比,精米中镉浓度大幅度降低,降幅达40.9%,拔节期施硅效果显著高于移栽期、分蘖期、抽穗期的施硅效果,而且水稻产量也有明显地提高,提高幅度达10.5%。本发明的在高浓度镉污染下水稻施硅方法(主要指施硅时期),不仅具有科学性,而且具有生产的可操作性。
申请公布号 CN106105926A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610503088.8 申请日期 2016.06.28
申请人 华南农业大学 发明人 蔡一霞;张世浩;蔡昆争;黄飞
分类号 A01G16/00(2006.01)I;A01G7/06(2006.01)I 主分类号 A01G16/00(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 裘晖
主权项 一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法,其特征在于包括如下步骤:在高浓度镉污染稻田中,于拔节期一次施用可溶性硅酸盐。
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