发明名称 |
一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法 |
摘要 |
本发明公开一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法,属于农产品重金属污染防治技术领域。通过本发明的方法施用硅,在高浓度镉污染土壤中(土壤镉浓度为60mg/kg),于水稻生长的拔节期一次施用163kg/hm<sup>2</sup>可溶性硅酸盐(以有效成分SiO<sub>2</sub>计),其施用效果与不施硅(对照)相比,精米中镉浓度大幅度降低,降幅达40.9%,拔节期施硅效果显著高于移栽期、分蘖期、抽穗期的施硅效果,而且水稻产量也有明显地提高,提高幅度达10.5%。本发明的在高浓度镉污染下水稻施硅方法(主要指施硅时期),不仅具有科学性,而且具有生产的可操作性。 |
申请公布号 |
CN106105926A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610503088.8 |
申请日期 |
2016.06.28 |
申请人 |
华南农业大学 |
发明人 |
蔡一霞;张世浩;蔡昆争;黄飞 |
分类号 |
A01G16/00(2006.01)I;A01G7/06(2006.01)I |
主分类号 |
A01G16/00(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
裘晖 |
主权项 |
一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法,其特征在于包括如下步骤:在高浓度镉污染稻田中,于拔节期一次施用可溶性硅酸盐。 |
地址 |
510642 广东省广州市天河区五山路483号 |