| 发明名称 | 薄膜电容及其制造方法和混合电路基板及其装配方法 | ||
| 摘要 | 本发明的薄膜电容旨在实现高静电电容值，小型且薄型化。其构成是在对向设置的电极层1，2之间形成电介质层3，并在各电极层与电介质层之间夹有导电性粒子层4和5。 | ||
| 申请公布号 | CN1137159A | 申请公布日期 | 1996.12.04 |
| 申请号 | CN96101979.4 | 申请日期 | 1996.03.14 |
| 申请人 | 欧姆龙株式会社 | 发明人 | 川井若浩 |
| 分类号 | H01G4/33;H05K1/18;H05K1/16;H05K3/00 | 主分类号 | H01G4/33 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 范本国 |
| 主权项 | 1.一种薄膜电容，其特征是：在对向电极层之间形成电介质层，且至少在一侧的电极层与电介质层之间夹有导电性粒子层。 | ||
| 地址 | 日本京都 | ||