发明名称 | 半导体雷射装置 | ||
摘要 | 一种半导体雷射装置,主要系包括一基板,形成于该基板上之活性区,以及形成于该活性区上之披覆层,其特征在于该披覆层中形成有至少一电性绝缘区,藉以于该基板上形成尺寸不同且相互连接之第一雷射区及第二雷射区,并于该半导体雷射装置上施加电源时,该第一雷射区及第二雷射区系分别产生不同雷射模态间隙(channel space)的光频谱,且于光频谱耦合后产生单模雷射,因而可简化制程、提升制程良率及节省制程成本。 | ||
申请公布号 | TW200701577 | 申请公布日期 | 2007.01.01 |
申请号 | TW094119955 | 申请日期 | 2005.06.16 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 宣融;黄尧琳;余昱辰;朱彦 |
分类号 | H01S3/08(2006.01) | 主分类号 | H01S3/08(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |