| 发明名称 | 一种含硅低介电常数材料炉子固化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到低是电材料Silk炉子固化工艺改进。随着器件尺寸愈来愈小，互连RC延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用铜和低介电材料来减少RC互连延迟。Silk是一种新的低介电材料，它在工艺集成过程中还存在一些问题，如Silk旋涂后的固化工艺。这里我们对原有的固化工艺作了改进：将Silk进出炉子的温度从300℃改为360-440℃，实验证明Silk并未被氧化。改进后的工艺不仅提高了产能，而且节约了电能，降低了成本，很适用于大生产线。 | ||
| 申请公布号 | CN100334695C | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN03114703.8 | 申请日期 | 2003.01.02 |
| 申请人 | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 缪炳有;徐小诚 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种含硅低介电材料炉子固化工艺，其特征在于将装载或卸载硅片的炉子温度控制为360-440℃，将旋涂后的Silk硅片在放入炉子时、固化过程中、到最后取出硅片时温度均控制在360-440℃。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路177号 | ||