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Ein Verfahren zum Herstellen einer Kondensatorelektrodenstruktur gemäß welchem die folgenden Schritte ausgeführt werden: Ein Substrat 1 wird bereitgestellt, das Anschlussflächen 2 aufweist, die in Zeilen 20 und Spalten 21 auf einer Oberfläche 101 des Substrats 1 angeordnet sind. Die Zeilen 20 sind nicht parallel zu den Spalten 21. Eine erste Gießform 4 wird auf das Substrat 1 aufgebracht. Mindestens ein erster Graben 8 wird in die erste Gießform 4 oberhalb der Anschlussflächen 2 angeordnet. Der erste Graben 8 erstreckt sich über mindestens zwei Anschlussflächen 2, die in einer Spalte 21 angeordnet sind. Eine erste dielektrische Schicht 9 wird auf Seitenwänden 108 des mindestens einen ersten Grabens 8 zum Bilden erster tragender Wände 10 gebildet. Eine zweite Gießform 11 wird auf das Substrat 1 aufgebracht. Mindestens ein zweiter Graben 15 wird in die zweite Gießform 11 oberhalb der Anschlussflächen 2 gebildet. Der zweite Graben 15 erstreckt sich über mindestens zwei Anschlussflächen 2, die in einer Zeile 20 angeordnet sind. Eine zweite dielektrische Schicht 16 wird auf die Seitenwände 115 des mindestens einen zweiten Grabens 15 aufgebracht, um zweite tragende Wände 17 zu bilden. Und eine leitfähige Schicht 18 wird auf die ersten und zweiten tragenden Wände 10, 17 zum Bilden einer ersten Elektrode der Kondensatorstruktur aufgebracht.
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