Verfahren und Struktur für vertikalen Tunnel-Feldeffekttransistor und planare Vorrichtungen

摘要

Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, die einen Tunnel-Feldeffekttransistor, TFET, aufweist, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (110), das einen ersten Bereich (112) und einen zweiten Bereich (114) aufweist; Ausbilden einer Halbleitermesa (120) auf dem Halbleitersubstrat (110) in dem ersten Bereich (112); Anwenden einer ersten Implantation (124) auf das Halbleitersubstrat (110) in dem ersten Bereich (112) und der Halbleitermesa (120), um einen Drain (126) des TFETs auszubilden, wobei der Drain (126) des TFETs eine erste Art von Leitfähigkeit aufweist; Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (130) auf dem Halbleitersubstrat (110) in dem ersten Bereich (112) und Seitenwänden der Halbleitermesa (120); Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht (134) und einer leitenden Schicht (136) auf der ersten dielektrischen Schicht (130); Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht (134) und der leitenden Schicht (136), um einen ersten Gatestapel (138) in dem ersten Bereich (112) auszubilden; Anwenden einer zweiten Implantation (144) auf das Halbleitersubstrat (110) in dem zweiten Bereich (114); Ausbilden einer dritten dielektrischen Schicht (150) auf der zweiten dielektrischen Schicht (134); Anwenden einer dritten Implantation auf die Halbleitermesa (120), um eine Source (152) des TFETs auszubilden, wobei die Source (152) des TFETs eine zweite Art von Leitfähigkeit aufweist, die der ersten Art von Leitfähigkeit entgegengesetzt ist; und Ausbilden einer Zwischenschicht (132) auf dem Halbleitersubstrat (110) in dem zweiten Bereich (114), wobei das Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht (134) und einer leitenden Schicht (136) das Ausbilden der zweiten dielektrischen Schicht (134) und der leitenden Schicht (136) auf der Zwischenschicht (132) umfasst, das Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht (134) und der leitenden Schicht (136) das Strukturieren der zweiten dielektrischen Schicht (134) und der leitenden Schicht (136) ...