| 摘要 |
[과제] 막 중에 계면을 가지지 않고, 또한 막질 특성이 단일이 아닌 박막을 기판상에 형성하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. [해결 수단] 가스 공급부(6A)가 토출구(615)보다 처리 공간(V)의 반송 방향 상류측으로 제1 재료 가스를 공급함과 더불어, 가스 공급부(6B)가 토출구(625)보다 처리 공간(V)의 반송 방향 하류측으로 제2 재료 가스를 공급한다. 이에 의해, 처리 공간(V)의 내부에서는, 그 상류측으로부터 하류측에 걸쳐, 제1 재료 가스로 채워진 공간으로부터 제2 재료 가스로 채워진 공간으로 연속적으로 변화한 분위기가 형성된다. 기판(9)이 이 처리 공간(V)에 대향하는 위치를 반송하면서 플라즈마 CVD 처리가 실행된다. 이로 인해, 기판(9)의 주면에 형성되는 CVD막(110)의 조성은, 주면으로부터 멀어지는 법선 방향에 있어서, 제1 재료 조성으로부터 제2 재료 조성으로 연속적으로 변화하는 조성이 된다. |
