一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，该方法包括：A.在源体欧姆接触SOI晶体管版图中，增加一层源漏大剂量杂质反注入光刻版；B.以源漏大剂量杂质注入光刻版的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质注入；C.以增加的源漏大剂量杂质反注入光刻版的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质反注入，引出栅区下面的体区；D.溅射钛层，退火生成源漏硅化物，形成源体欧姆接触SOI晶体管。利用本发明，消除通常部分耗尽SOI浮体器件中存在的边缘漏电现象和浮体效应。本发明与互补金属—氧化物—半导体场效应晶体管(CMOS)工艺完全兼容，适用于低压、低功耗、高可靠性集成电路领域，可以用于商业化生产。

主权项

1.一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、在源体欧姆接触绝缘体上硅SOI晶体管版图中，增加一层源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)；B、以源漏大剂量杂质注入光刻版(40)的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质注入；C、以增加的源漏大剂量杂质反注入光刻版(60)的反版为掩膜进行源漏大剂量杂质反注入，引出栅区下面的体区(54)；D、溅射钛层，退火生成源漏硅化物，形成源体欧姆接触SOI晶体管。