| 发明名称 | 一种具有高导电性能ITO膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种膜的制备方法，旨在提供一种具有高导电性能ITO膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将锡的无机盐前驱物溶于乙醇，将铟的无机盐前驱物溶于乙酰丙酮，控制锡和铟的摩尔质量之比为1∶10；将两种溶液混合后在60～65℃下搅拌回流3小时，得到均一透明的淡黄色溶胶；(2)以石英玻璃为基体，对上述溶胶进行提拉镀膜，提拉速度为200mm/min；再将溶胶膜在100℃下预热处理10分钟，之后在550℃下退火处理1小时，得到1层的ITO膜；重复以上步骤，得到多层的ITO膜；(3)将前述多层的ITO膜置于紫外光源下经紫外光照射处理1～10分钟，得到具有高导电性能的ITO膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101337773A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810063399.2 | 申请日期 | 2008.08.14 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 杨斌;刘杰 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01) | 主分类号 | C03C17/23(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 唐银益 |
| 主权项 | 1、一种具有高导电性能ITO膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将锡的无机盐前驱物溶于乙醇，将铟的无机盐前驱物溶于乙酰丙酮，控制锡和铟的摩尔质量之比为1∶10；将两种溶液混合后在60～65℃下搅拌回流3小时，得到均一透明的淡黄色溶胶；(2)以石英玻璃为基体，对上述溶胶进行提拉镀膜，提拉速度为200mm/min；再将溶胶膜在100℃下预热处理10分钟，之后在550℃下退火处理1小时，得到1层的ITO膜；重复以上步骤，得到多层的ITO膜；(3)将前述多层的ITO膜置于紫外光源下经紫外光照射处理1～10分钟，得到具有高导电性能的ITO膜。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市下沙高教园区西区二号大街5号 | ||