METHOD OF FORMING AL MULTILAYER WIRING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE,申请号JP19910211477-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF FORMING AL MULTILAYER WIRING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号	JPH0684903(A)	申请公布日期	1994.03.25
申请号	JP19910211477	申请日期	1991.07.29
申请人	SONY CORP	发明人	SATO JUNICHI
分类号	H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/320	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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