发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 本发明涉及一种半导体器件的制造方法,用于防止树脂与半导体芯片的分离。该制造方法包括:切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片并形成半导体芯片;在所述半导体芯片上安装一组引线端;以及清洗有源电路反面的所述半导体芯片的表面。然后用密封材料封闭半导体芯片。因此防止了半导体芯片与树脂的分离。
申请公布号 CN1208250A 申请公布日期 1999.02.17
申请号 CN98102290.1 申请日期 1998.06.19
申请人 日本电气株式会社 发明人 滝泽朋子
分类号 H01L21/50;H01L21/48 主分类号 H01L21/50
代理机构 中科专利代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1、一种半导体器件的制造方法,其特征在于包括以下步骤:(a)切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片并形成半导体 芯片;(b)清洗有源电路反面的所述半导体芯片的另一面;(c)在所述半导体芯片上安装一组引线端;以及(d)用密封材料封闭所述半导体芯片。
地址 日本国东京都