晶圆洁净装置的晶圆保护系统以及晶圆清洗制程

摘要

本发明披露一种晶圆清洗制程，将经过氧气电浆灰化处理后之半导体晶圆置于清洗溶液浸泡槽，并浸泡在清洗溶液中，其中该半导体晶圆经过氧气电浆灰化处理后之表面上具有待清除之光阻灰化残留物、蚀刻副产物以及暴露出来的金属导线图案；该清洗溶液浸泡槽系连接一循环管线，排放控制阀以及液体排放管线；替代溶液可经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽；当该半导体晶圆浸泡在该清洗溶液之时间若超过一预定时间限制，即刻开启该排放控制阀将该清洗溶剂经由该排放控制阀以及该液体排放管线排出该清洗溶液浸泡槽；在该清洗溶液排放完之后，开启该控制阀，将该替代溶液经由控制阀以及液体输送管线注入该清洗溶液浸泡槽。