PRODUCTION METHOD FOR SILICON SOLAR CELLS COMPRISING µC-SILICON LAYERS

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen umfassend wenigstens eine p-i-n-Schichtenfolge mit mikrokristallinen Schichten mit Hilfe eines PE-CVD-­Verfahrens. Das Verfahren wird dadurch gekennzeichnet, dass alle Schichten der p-i-n Schichtenfolge in einem Einkammer­prozess abgeschieden werden. Dabei wird ein Elektrodenab­stand zwischen 5 und 15 mm gewählt und die Gasverteilung erfolgt über einen Showerhead-Gaseinlass, der eine homogene Verteilung des Gases über das Substrat gewährleistet. Es werden SiH4-Gasflüsse zwischen 0,01 und 3 sccm/cm<2> zugege­ben, wobei ein Prozessdruck zwischen 8 und 50 hPa einge­stellt wird. Die Heizertemperatur wird zwischen 50 und 280°C eingestellt und die HF-Leistung beträgt zwischen 0,2 und 2 Watt/cm<2>. Die H2-Gasflüsse betragen zwischen 0,3 und 30 sccm/cm<2>, insbesondere zwischen 0,3 und 10 sccm/cm<2>.