静電容量式タッチセンサーの電極構造体を形成する方法

摘要

パルス固体レーザー２２を用いた直描レーザースクライブ工程によって、透明の非導電層１５でオーバーコーティングされたカラーフィルター層１１、１２、１３及び第２の透明導電層７が第２の面上にあるガラス基板５の第１の面上にある第１の透明導電層１９内に静電容量式タッチセンサーの電極構造体を形成する方法。本方法において、レーザー波長は２５７ｎｍ〜２６６ｎｍの範囲内、パルス長は５０ｆｓ〜５０ｎｓの範囲内であり、これにより溝２１が第１の透明導電層１９内に形成されて各溝２１の互いに対向する側の第１の透明導電層１９の領域を電気的に分離する。この波長及びパルス長を選択することによって、下方にあるガラス基板５の第２の面上のカラーフィルター層１１、１２、１３、透明の非導電層１５又は第２の透明導電層７への損傷を実質的に与えることなく溝２１を形成することを可能にする。【選択図】図６