| 摘要 |
任意の基板に実装後にIII族窒化物半導体層にクラックが生じにくく、かつ、加熱ハンダ実装による順方向電圧の増加が抑制されたIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。本発明のIII族窒化物半導体素子１００は、主のＣｕメッキ層１３０を含み、Ｃｕを主材料とする導電性サポート体１２２Ａと、導電性サポート体１２２Ａ上のメッキシード層１１４と、メッキシード層１４４上のIII族窒化物半導体層１１０と、を有する。主のＣｕメッキ層１３０とIII族窒化物半導体層１１０との間において、導電性サポート体１２２Ａおよびメッキシード層１１４の少なくとも一方が、第１の遷移金属からなる第１層１３４Ａ，１３６Ａ、および、第１の遷移金属と異なる第２の遷移金属からなる第２層１３４Ｂ，１３６Ｂを交互に複数回積層した積層体１３４，１３６を含むことを特徴とする。 |
