| 摘要 |
본 발명에 의한 반도체 장치(100A)는, 제1 콘택트 영역(4a) 및 제2 콘택트 영역(4b)과, 제1 콘택트 영역(4a)과 제2 콘택트 영역(4b) 사이에 위치하는 채널 영역(4c)을 갖는 산화물 반도체층(4)과, 산화물 반도체층(4) 위에 제1 콘택트 영역(4a)과 접하도록 형성된 소스 전극(5)과, 산화물 반도체층(4) 위에 제2 콘택트 영역(4b)과 접하도록 형성된 드레인 전극(6)을 구비한다. 산화물 반도체층(4)의 모든 측면은 게이트 전극(2) 위에 있고, 소스 전극(5)의 폭은, 산화물 반도체층(4)의 폭보다 크고, 드레인 전극(6)의 폭은 산화물 반도체층(4)의 폭보다 크다. |
