Nanorod-based semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

摘要

본 발명의 실시예에 따른 나노로드 기반의 반도체 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 상기 제1 도전형 반도체층 위로 연장된 AlGaN 나노로드; 상기 AlGaN 나노로드의 측면과 상면을 덮어 나노로드 구조의 내측 쉘(shell)을 형성하는 n-GaN 쉘층; 및 상기 n-GaN 쉘층을 순차적으로 덮는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함한다.