发明名称 近场噪声抑制薄膜
摘要 本发明提供一种降低电磁波噪声吸收能力的不均的噪声抑制薄膜,利用蒸镀法在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜,然后在能够引起热收缩的110~170℃的范围内的温度下进行10分钟~1小时热处理,由此形成所述噪声抑制薄膜,(a)所述Ni薄膜的透光率(波长为660nm的激光)为3~50%,(b)在所述Ni薄膜的10cm×10cm的正方形的试验片TP的对置边部配置具有覆盖边整体的长度的一对电极,通过平坦的加压板施加3.85kg的载荷而测定出的表面电阻为10~200Ω/单位面积。
申请公布号 CN103636299B 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201280032039.0 申请日期 2012.06.27
申请人 加川清二 发明人 加川清二
分类号 H05K9/00(2006.01)I;B32B15/08(2006.01)I 主分类号 H05K9/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 雒运朴
主权项 一种噪声抑制薄膜,该噪声抑制薄膜降低电磁波噪声吸收能力的不均,其特征在于,利用蒸镀法在由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的延伸塑料薄膜的一方的面上形成有Ni薄膜,然后在能够引起热收缩的110~170℃的范围内的温度下进行10分钟~1小时热处理,由此形成所述噪声抑制薄膜,(a)相对于波长为660nm的激光而言,所述Ni薄膜的透光率为3~50%,(b)在所述Ni薄膜的10cm×10cm的正方形的试验片TP的对置边部配置具有覆盖边整体的长度的一对电极,通过平坦的加压板施加3.85kg的载荷而测定出的表面电阻为10~200Ω/单位面积。
地址 日本国埼玉县