| 发明名称 | 中子屏蔽材料及制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种中子屏蔽材料及制备工艺。所述中子屏蔽材料包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐。本发明还提供了制备该中子屏蔽材料的方法。本发明中子屏蔽材料具有成本低廉、制备简单、成型性好、产品优良率高、中子屏蔽效果好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103426492B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210156866.2 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明人 | 柯于斌;陶举洲;周健荣;王凌倩 |
| 分类号 | G21F1/02(2006.01)I | 主分类号 | G21F1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮 |
| 主权项 | 一种中子屏蔽材料，其包含：超高分子量聚乙烯、至少一种硼化合物、和至少一种硬脂酸或其盐；超高分子量聚乙烯 100重量份、硼化合物 12‑50重量份、和硬脂酸或其盐 1‑5重量份；所述硼化合物选自硼酐和硼砂的组合；中子屏蔽材料的密度为0.5～4g/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 100049 北京市石景山区玉泉路19号（乙院） | ||