| 主权项 |
1.一种在一反应室中的一基材上沈积一薄膜之方 法,包含下列步骤: 将一第一气体导入该反应室; 启动一第一电磁辐射脉波,以便自该第一气体形成 自由基,其中该等自由基与该基材的表面起反应, 而在该基材上形成一自由基终端表面; 清洁该反应室; 将一第二气体导入该反应器;以及 启动一第二电磁辐射脉波,以便自该第二气体形成 第二自由基,其中该等第二自由基与该自由基终端 表面起反应,而在该基材上形成一层薄膜。 2.一种移除一反应室中的一基材上的一薄膜之方 法,包含下列步骤: 将一气体导入该反应室; 以一第一电磁辐射脉波照射该气体,而自该气体形 成自由基;以及 使该等自由基与该基材的表面上之该薄膜起反应, 而形成一挥发性化合物,因而移除该薄膜的一原子 层。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,进一步包含下 列步骤: 对该基材进行前处理,以便调节该基材的表面。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该清洁步 骤包含下列步骤:自该反应室抽出气体,或以一惰 性气体清洗,或同时执行以上两者。 5.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步 骤: 在启动一第二电磁辐射脉波的该步骤之后,清洁该 反应室;以及 重复该等步骤,以便形成一所需之薄膜。 6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在大约 摄氏20至400度的范围内之一温度下执行该方法。 7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在大约 摄氏100至200度的范围内之一温度下执行该方法。 8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在大约 摄氏20至30度的范围内之一温度下执行该方法。 9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系由可见 光辐射、红外线辐射、紫外线辐射、微波辐射、 射频辐射、或真空紫外线辐射构成该电磁辐射。 10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在大约1 毫托至760托的范围内之一压力下执行该导入及启 动步骤。 11.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在小于 大约150托的范围内之一压力下执行该导入及启动 步骤。 12.如申请专利范围第1或2项之方法,其中系在小于 大约15托的范围内之一压力下执行该导入及启动 步骤。 图式简单说明: 图1是在一先前技术沈积制程期间在一含金属层与 矽基材之间形成的一界面矽氧化物之一示意图。 图2是用来执行根据本发明一实施例的原子层沈积 方法的一反应器之一示意图。 图3A至3J是根据本发明的另一实施例而用来形成一 具有大约5埃的氧化物相当厚度(EOT)的闸极介质的 原子层交换步骤之示意图。 |
