| 摘要 |
本发明提供一种用于在半导体设备之一导电互连上形成覆盖层之方法，该方法包含以下步骤：(a)在一介电层中提供一或多个导体，及(b)在该或该等导体之至少某些之一上表面上沈积一覆盖层，其特征在于该方法进一步包括：(c)在沈积该覆盖层之前使该介电层与有机化合物在一液相中反应之步骤，该有机化合物具有以下通式：其中X为一官能基，R为一有机基团或有机矽氧烷基团，Y1为一官能基或有机基团或有机矽氧烷基团，且Y2为一官能基或有机基团或有机矽氧烷基团，且其中该(该等)官能基系独立地选自以下物质：NH2、二级胺、三级胺、乙醯胺、三氟乙醯胺、咪唑、、OH、烷氧基、丙烯醯氧基、乙酸酯、SH、烷基硫醇、磺酸酯、甲磺酸酯及氰化物，及其盐。 |
