| 发明名称 |
Process for the fabrication of a conductive structure for an integrated circuit |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung weist zur einfachen und mit wenigen Prozessschritten auskommenden Herstellung eine strukturierte erste Isolierschicht (2) auf, auf die eine erste Passivierungsschicht (5) aufgebracht wird. Auf diese wird eine Schicht leitenden Materials (6) aufgebracht, auf welche wiederum eine zweite Passivierungsschicht (7) aufgebracht wird. Auf die zweite Passivierungsschicht (7) wird eine Hartmaske (8) aufgebracht. Die Schicht leitenden Materials (6) wird in den durch die Hartmaske (8) vorgesehenen Bereichen entfernt. Die erste Passivierungsschicht (5) wird in den durch die Hartmaske (8) vorgesehenen Bereichen durch Sputtern entfernt und an der Seitenwand der Schicht leitenden Materials (6) wenigstens zum Teil wieder abgelagert. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1132957(A2) |
申请公布日期 |
2001.09.12 |
| 申请号 |
EP20010103715 |
申请日期 |
2001.02.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
WEGE, STEPHAN;MOLL, PETER |
| 分类号 |
H01L21/3213;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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