| 摘要 |
在一个范例中，本发明之方法包括在闸极电极材料层(14)上形成图案化硬遮罩特征(20A)，该硬遮罩特征(20A)具有形成在其上之光阻特征(16)且该硬遮罩特征(20A)具有临界尺寸(critical dimension)(21)。该方法复包括在该图案化硬遮罩特征(20A)执行蚀刻制程以产生具有临界尺寸(21A)的缩小硬遮罩特征(20B)，该临界尺寸(21A)小于该图案化硬遮罩特征(20A)之该临界尺寸(21)；以及利用该缩小硬遮罩特征(20B)作为遮罩而在该闸极电极材料层(14)执行非等向性蚀刻制程(anisotropic etching process)以定义闸极电极(14B)。 |
