发明名称 Method for manufacturing in-plain switching mode liquid crystal display device
摘要 본 발명은 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 제1 마스크 공정을 수행하여 게이트 전극, 게이트 라인, 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극, 게이트 라인 및 게이트 패드가 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하고, 제2 마스크 공정을 수행하여 상기 게이트 절연막 상에 소스/드레인 전극, 반도체 패턴, 데이터 라인, 데이터 패드를 형성하는 단계와, 상기 소스/드레인 전극, 반도체 패턴, 데이터 라인, 데이터 패드가 형성된 기판상에 제3 마스크공정을 수행하여 제1 콘택홀, 제2 콘택홀, 제3 콘택홀이 형성된 보호막을 형성하는 단계와, 상기 제1 콘택홀, 제2 콘택홀, 제3 콘택홀이 포함된 보호막이 형성된 기판에 제4 마스크공정을 수행하여 화소전극, 공통전극, 스토리지 커패시터 상부전극, 데이터 패드용 전극, 게이트 패드용 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제4 마스크공정을 수행하여 화소전극, 공통전극, 스토리지 커패시터 상부전극, 데이터 패드용 전극, 게이트 패드용 전극을 형성하는 단계는 습식 식각공정 및 건식 식각공정을 포함하여 수행된다.
申请公布号 KR101646645(B1) 申请公布日期 2016.08.09
申请号 KR20090069490 申请日期 2009.07.29
申请人 엘지디스플레이 주식회사 发明人 최준호;김인섭
分类号 G02F1/1343;G02F1/136 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人
主权项
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