发明名称 SUBSTRATE TREATMENT DEVICE CEILING PART AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 기판 면 내의 온도 균일성을 향상시키면서 노 내 온도를 신속히 저하시킨다. 기판을 처리하는 반응관과, 반응관의 외주에 배치되고, 반응관 내를 가열하는 가열부와, 가열부의 외주에 배치된 단열부와, 단열부에 복수 설치되고, 외기 또는 냉각 매체를 유통시키는 유로와, 단열부의 상면을 덮는 천장부를 갖고, 천장부는, 유로에 연통되고, 외기 또는 냉각 매체를 유로 내에 공급하는 공급구가 형성된 제1 부재와, 제1 부재 상에 배치되고, 제1 부재와의 사이에 외기 또는 냉각 매체를 흐르게 하는 공간이 형성되며, 공간을 적어도 2개의 공간으로 분할하는 구획부가 형성된 제2 부재를 갖는다.
申请公布号 KR20160118349(A) 申请公布日期 2016.10.11
申请号 KR20167024712 申请日期 2015.03.19
申请人 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 TAKEWAKI MOTOYA;KOSUGI TETSUYA;UENO MASAAKI
分类号 H01L21/67;C23C16/44;H01L21/324 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人
主权项
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