形成半导体元件之图案的方法

摘要

〔课题〕提供一种形成半导体元件之图案的方法，于半导体元件之光阻图案之形成过程中，藉由对反射防止膜进行蚀刻形成细微之弯曲，而可以增加光阻及反射防止膜间之接触面积，防止光阻图案崩落现象的产生。〔解决手段〕包括：(a)涂布有机反射防止膜组成物于被蚀刻层之上部，再进行烘烤而形成有机反射防止膜；(b)对上述所形成之有机反射防止膜进行蚀刻步骤，而形成细微之弯曲于有机反射防止膜上；及(c)涂布光阻于上述有机反射防止膜上，于曝光后显像，而形成光阻图案。

主权项

1.一种形成半导体元件之图案的方法,包括下列步 骤: (a)涂布有机反射防止膜组成物于被蚀刻层之上部, 再进行烘烤而形成有机反射防止膜; (b)对上述所形成之有机反射防止膜进行蚀刻步骤, 而形成细微之弯曲于有机反射防止膜上;及 (c)涂布光阻于上述有机反射防止膜上,于曝光后显 像,而形成光阻图案。 2.如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件之 图案的方法,其中上述烘烤步骤系于150~300℃之温 度及1~5分钟下进行。 3.如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件之 图案的方法,其中于形成上述图案之步骤中,于曝 光前后再次进行烘烤步骤。 4.如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件之 图案的方法,其中上述烘烤步骤系于70~200℃之温度 下进行。 图式简单说明: 第1图系显示以习知技术所形成之图案,发生有图 案崩落现象之电子显微镜照片;及 第2图系显示以本发明之方法所形成的图案形状之 电子显微镜照片。