| 主权项 |
1.一种基板处理方法,用于由附着有ArF抗蚀膜之基 板去除上述ArF抗蚀膜之方法,其特征具有: 对上述ArF抗蚀膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对上述槽中供应臭氧与 水蒸气,俾将照射过紫外线之ArF抗蚀膜变成水溶性 之工程;以及 对改性为水溶性之ArF抗蚀膜供应纯水,并由基板剥 离上述ArF抗蚀膜之工程。 2.如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中上述 基板另附有对付ArF线之反射防止膜, 上述反射防止膜与上述ArF抗蚀膜同时被照射紫外 线并藉由上述臭氧与水蒸气变成水溶性,且藉由上 述纯水由基板与上述ArF抗蚀膜成批剥离。 3.一种基板处理方法,用于由附着有反射防止膜之 基板去除上述反射膜之方法,其特征具有: 对上述反射防止膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对上述槽中供应臭氧与 水蒸气,俾将照射过紫外线之反射防止膜变成水溶 性之工程;以及 对改性为水溶性之反射防止膜供应纯水,并由基板 剥离上述反射防止膜之工程。 4.一种基板处理方法,系用于由附着有以高剂量注 入离子处理之抗蚀膜之基板去除上述抗蚀膜之方 法,其特征具有: 对上述抗蚀膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对上述槽中供应臭氧与 水蒸气,俾照射过紫外线之抗蚀膜改性为水溶性之 工程;以及 对改性为水溶性之抗蚀膜供应纯水,并由基板剥离 上述抗蚀膜之工程。 5.如申请专利范围第4项之基板处理方法,其中上述 离子注入处理中之剂量为11015/平方公分以上。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之基板处理方 法,其中在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,边以 固定流量对上述槽中供应水蒸气,边减少对上述水 蒸气之臭氧供应量,俾被收容于上述槽中之基板不 发生结露。 7.如申请专利范围第6项之基板处理方法,其中周期 性地停止对上述槽中供应臭氧。 8.如申请专利范围第6项之基板处理方法,其中在将 上述槽内部保持于特定之温度并将供应于上述槽 中之水蒸气量固定时,事先求得在槽中发生结露之 压力; 在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,边测定上述槽 中之压力,边控制上述臭氧之供应量,俾使该测定 压力不致超越发生上述结露之压力。 9.如申请专利范围第1至5项之任一项之基板处理方 法,其中在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,进行 上述槽之排气以便上述槽中保持于固定之正压。 10.一种基板处理方法,系用于由附着有ArF膜之基板 去除上述ArF抗蚀膜之方法,其特征具有: 对上述ArF抗蚀膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对槽中供应臭氧与水蒸 气,俾被照射过紫外线之ArF抗蚀膜改性为可溶解于 特定药液之工程;以及 对改性过之ArF抗蚀膜供应上述药液,俾由基板剥离 上述ArF抗蚀膜之工程。 11.如申请专利范围第10项之基板处理方法,其中上 述基板另附着有对付ArF线之反射防止膜; 上述反射防止膜与上述ArF抗蚀膜同时被照射紫外 线,且藉由上述臭氧与水蒸气改性,并利用药液与 上述ArF抗蚀膜一起成批由基板剥离。 12.一种基板处理方法,用于由附着有反射防止膜之 基板去除上述反射防止膜之方法,其特征具有: 对反射防止膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对槽中供应臭氧与水蒸 气,俾将照射过紫外线之反射防止膜改性为可溶解 于特定溶液之工程;以及 对改性过之反射防止膜供应上述药液,俾由基板剥 离上述反射防止膜之工程。 13.一种基板处理方法,系用于由附着有以高剂量注 入离子处理之抗蚀膜之基板去除上述抗蚀膜之方 法,其特征具有: 对上述抗蚀膜照射特定波长之紫外线之工程; 将上述基板收容于槽中,并对上述槽中供应臭氧与 水蒸气,俾将照射过紫外线之抗蚀膜改性为可溶解 于特定药液之工程。 14.如申请专利范围第13项之基板处理方法,其中上 述离子注入处理之剂量为11015/平方公分以上。 15.如申请专利范围第10至14项之任一项之基板处理 方法,其中在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,以 固定流量边对上述槽中供应水蒸气,边减少对上述 水蒸气之臭氧供应量,俾使收容于上述槽中之基板 不致发生结露。 16.如申请专利范围第15项之基板处理方法,其中周 期性地停止对上述槽中供应臭氧。 17.如申请专利范围第15项之基板处理方法,其中在 将上述槽内部保持于特定之温度将供应于上述槽 中之水蒸气量固定时,事先求得在上述槽中发生结 露之压力, 在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,边测定上述槽 中之压力,边控制上述臭氧之供应量,俾使该测定 压力不致超越发生上述结露之压力。 18.如申请专利范围第10至14项之任一项之基板处理 方法,其中在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,进 行上述槽之排气以便上述槽中保持于固定之正压 。 19.如申请专利范围第10至14项之任一项之基板处理 方法,其中上述药液为硷性药液。 20.如申请专利范围第19项之基板处理方法,其中上 述硷性药液为APM溶液,氢氧化铵水溶液,四甲铵化 氢氧(TMAH)水溶液之一。 21.如申请专利范围第1、3、4、5、10、11、12、13或 14项之基板处理方法,其中紫外线之照射时,系使用 波长为172nm至193nm之紫外线灯泡或准分子雷射。 22.一种基板处理装置,其特征具备: 紫外线照射部,系用于对具有ArF抗蚀膜,反射防止 膜,高剂量离子注入抗蚀膜之任一种膜之基板照射 紫外线; 槽,具有收容照射过紫外线之基板之加热机构; 水蒸气供应部,用于对上述槽供应水蒸气; 臭氧供应部,用于对上述槽供应臭氧;以及 控制部,用于控制上述槽与上述水蒸气供应部与臭 氧供应部,俾收容有上述基板之槽之内部保持于特 定温度,且以特定流量对上述槽中供应水蒸气与臭 氧。 23.如申请专利范围第22项之基板处理装置,其中上 述控制部在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,边以 固定流量对上述槽中供应水蒸气,边减少对上述槽 中之臭氧供应量。 24.如申请专利范围第23项之基板处理装置,其中上 述控制部在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,周期 性地停止对上述槽中之臭氧之供应。 25.如申请专利范围第22至24项之任一项之基板处理 装置,其中另具备用于测定上述槽之内压之压力感 测器; 上述控制部在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,调 整臭氧供应量,俾使上述压力感测器之测定値不超 过在将上述槽中保持于特定温度且将供应至槽中 之水蒸气量设成固定时在上述槽中发生结露时事 先测定之压力。 26.如申请专利范围第25项之基板处理装置,其中上 述控制部在对上述槽中供应水蒸气与臭氧时,由上 述槽进行排气,俾可将上述槽中保持于固定之正压 。 27.如申请专利范围第22至24项之任一项之基板处理 装置,其中另具备液处理部,系利用纯水,APM溶液,氢 氧化铵水溶液,四甲铵化氢氧(TMAH)水溶液之任一种 处理收容于上述槽中且经由水蒸气与臭氧处理过 之基板。 28.如申请专利范围第22至24项之任一项之基板处理 装置,其中上述紫外线照射部具备波长为172nm至193 nm之紫外线灯泡或准分子雷射。 29.一种电脑可读取记录媒体,系用于记录用以控制 以水蒸气与臭氧处理收容于具有加热机构之槽中 之基板之基板处理装置之电脑执行下列处理之程 式:(a)将实施过紫外线照射处理过之具有ArF抗蚀膜 ,反射防止膜,高剂量离子注入抗蚀膜之任一种膜 之基板收容于上述槽中,(b)将上述槽内部保持于特 定之温度,(c)边对上述槽中以固定流量供应水蒸气 ,边减少对上述槽中之臭氧供应量以免在上述基板 发生结露,并使上述膜可溶解于特定处理液。 30.如申请专利范围第29项之电脑可读取记录媒体, 其中上述程式使上述电脑控制上述基板处理装置 周期性地停止对上述槽之臭氧供应。 图式简单说明: 图1为膜去除系统之概略平面图。 图2为紫外线照射单元(UV)之概略剖面图。 图3为膜改性单元(VOS)之概略剖面图。 图4以表示ArF抗蚀系统上之控制系统之概略构造图 。 图5为表示ArF抗蚀膜与反射防止膜之去除方法之流 程图。 图6A为表示ArF抗蚀膜之去除过程之模式剖面图。 图6B为表示ArF抗蚀膜之去除过程之模式剖面图。 图6C为表示ArF抗蚀膜之去除过程之模式剖面图。 图6D为表示ArF抗蚀膜之去除过程之模式剖面图。 图6E为表示ArF抗蚀膜之去除过程之模式剖面图。 图7为表示比较实施例与比较例之剥离速度之图表 。 图8为表示ArF抗蚀膜与反射防止膜之另一种去除方 法之流程图。 |
