| 主权项 |
1.一种可分开之基板的制造方法,该方法包含两材 料层(20)至少其中之一的表面状况调整处理,接着 是两层之表面的可逆接合,以制成可分开的基板, 其特征在于该表面状况调整处理包含以离子丛对 要被处理之表面的轰击。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中,轰击用离子 包含与要被处理的表面不会产生化学反应的物种 。 3.如申请专利范围第2项的方法,其中,表面状况要 被调整之材料的层是以矽或碳化矽制成,且轰击用 的离子是氩或氮离子。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中,该离子包含 能与要被处理之表面的材料产生化学反应的离子 。 5.如申请专利范围第4项的方法,其中,该轰击是以 含有该离子的电浆进行。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中,要被处理之 表面的材料与形成电浆的元素构成以下配对其中 之一:(Si,SF6)、(SiC,SF6/O2)、(SiO2,SF6/O2)、(SiO2,CHF3/SF6) 、(Si3N4,CHF3/O2/SF6)。 7.如申请专利范围第1至6项之任一项的方法,其中, 该方法包含控制丛中的离子数量以调整要被处理 之表面的粗糙度,其目的是增加或降低此表面的粗 糙度。 8.如申请专利范围第7项的方法,其中,进行该控制 以使该表面平滑,将其粗糙度带至能经由分子黏着 而接合的値。 9.如申请专利范围第8项的方法,其中,表面是循环 使用SMARTCUT类型方法的负表面。 10.如申请专利范围第7项的方法,其中,离子数量的 该控制是经由控制用以产生离子丛之离子源的压 力达成。 11.如申请专利范围第1至6项之任一项的方法,其中, 该方法也包含控制施加于离子的轰击电压。 12.如申请专利范围第1至6项之任一项的方法,其中, 经由将离子丛的束选择性地导向要被处理的区带, 在所欲之区带内选择性及局部性地处理将被处理 之表面,以便在此表面上产生一样式,按照该样式 以所欲的方式选择性地调整表面状况。 13.如申请专利范围第1至6项之任一项的方法,其中, 产生聚焦的束,其包含轰击用的离子及这些离子的 单体物种,以及,将包含离子丛的部分束导向该层 。 14.如申请专利范围第13项的方法,其中,离子丛的该 束在层上的撞击位置被控制。 15.如申请专利范围第14项的方法,其中,在层的表面 上产生适当的空间样式,其与层之表面上的其余部 分相较,具有经过调整的粗糙度。 16.如申请专利范围第15项的方法,其中,在层之表面 上所产生的样式具有可变化之粗糙度。 17.如申请专利范围第1至6项之任一项的方法,其中, 在层之表面上所产生的样式具有可变化之粗糙度 。 图式简单说明: 图1是可进行离子丛轰击之设备的概图, 图2a及2b的曲线图表示在不同轰击条件下,接受离 子丛轰击之表面之粗糙度的演化, 图3说明与产生离子相关之压力对于出现于离子丛 中的离子数量之影响的柱状图(特别说明的是,此 柱状图是来自于“Materials processing by gas cluster ion beams"文献,Material Science and Engineering, R34,No.6,P244( 2001)), 图4a到4c说明本发明的特定实施法,其中,表面接受 选择性及局部性地处理,以便按照所要的样式调整 它的表面状况。 |
