| 发明名称 | 纳米壁太阳能电池和光电子器件 | ||
| 摘要 | 包含衬底(102)和设置在衬底(102)表面上的纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。该器件(100)还包含共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)。一层或多层共形层是光生伏打器件的至少一部分。制造光生伏打器件(100)的方法包括在衬底(102)表面上产生纳米壁(101)结构和在纳米壁(101)结构上共形地沉积至少一层(103)，以形成至少一个光活性结。太阳能电池板包含至少一个基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。太阳能电池板把这些器件(100)与其周围的大气环境隔开并能产生电力。光电子器件还可加进基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。 | ||
| 申请公布号 | CN101221993A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200810002972.9 | 申请日期 | 2008.01.11 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | B·A·科里瓦尔;L·察卡拉科斯;J·鲍尔奇 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01);H01L31/0352(2006.01) | 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吕彩霞;韦欣华 |
| 主权项 | 1.光生伏打器件(100)，其包含：有至少2个表面的衬底(102)；设置在衬底(102)至少2个表面中至少之一上的纳米壁(101)结构，其中纳米壁(101)结构包含连接壁结构的网络；和共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)，其中该至少一层(103)是光活性结的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||