窒化物系化合物半導体素子を製造する方法

摘要

本発明は、窒化物系化合物半導体素子を製造する方法であって、前記方法は、シリコン表面を有する成長基板（１）を準備するステップと、前記シリコン表面の上にＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮを有するバッファ層（２）を成長させるステップであって、但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，及びｘ＋ｙ≦１である、ステップと、前記バッファ層の上に半導体積層体（３）を成長させるステップと、を含み、前記バッファ層は、該バッファ層の横方向の格子定数が、第１領域（２ａ）では階段的又は連続的に増加するように、かつ成長方向に前記第１領域（２ａ）に後続する第２領域（２ｂ）では階段的又は連続的に減少するように変化する材料組成を有し、前記バッファ層は、前記半導体積層体との界面において、前記半導体積層体の、前記バッファ層に相接する半導体層（４）よりも小さい横方向の格子定数を有することを特徴とする、方法を提供する。